Эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах

Автор(и)

  • Н.В. Ткач Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича ул. Коцюбинского, 2, г. Черновцы, 58012, Украина
  • Ю.А. Сети Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича ул. Коцюбинского, 2, г. Черновцы, 58012, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.3170931

Ключові слова:

коллапс, резонансно-туннельная структура, электрон.

Анотація

В модели эффективных масс и симметричных прямоугольных потенциальных барьеров для электрона в плоской трехбарьерной структуре развита теория эволюции и коллапса пар резонансов из-за изменения мощности (толщины) внутреннего барьера. Аналитический и численный расчеты спектральных параметров (резонансных энергий и ширин) выполняются методом коэффициента прозрачности и функции распределения вероятности с использованием трансфер-матрицы и S-матрицы рассеяния. Показано, что в симметричной трехбарьерной структуре коллапс резонансных энергий и ширин всех квазистационарных состояний происходит практически при одинаковых значениях толщин внутренних барьеров, несколько превышающих суммарную толщину внешних. Установлено, что по отношению к модели прямоугольных барьеров d-модель завышает значения резонансных энергий на десятки процентов, а резонансные ширины почти в два раза.

Опубліковано

2009-06-02

Як цитувати

(1)
Н.В. Ткач and Ю.А. Сети, Эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах, Low Temp. Phys. 35, (2009) [Fiz. Nizk. Temp. 35, 710-720, (2009)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3170931.

Номер

Розділ

Електронні властивості провідних систем

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.