Аномалии эффекта Холла в окрестности квантовой критической точки в CeCu6-xAux
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.3170930Ключові слова:
квантовое критическое поведение, эффект Холла.Анотація
Представлены результаты прецизионных измерений эффекта Холла и сопротивления твердых растворов замещения СеСи6-xАux для составов 0 ≤ x ≤ 0,3, отвечающих широкой окрестности квантовой критической точки (ККТ) x = 0,1. Измерения выполнены методом вращения образца в постоянном магнитном поле до 70 кЭ в интервале температур 1,8-300 К. Для классического соединения с тяжелыми фермионами CeCu6 обнаружена сложная активационная зависимость коэффициента Холла RH(T) с энергиями активации Ea1/kB ≈ 110 К и Ea2/kB ≈ 1,5 К в интервалах температур 50-300 и 3-10 К соответственно. Показано, что аномальное поведение эффекта Холла может быть объяснено в рамках спин-поляронного подхода, который позволяет сопоставить значениям Ea1,2 энергию связи многочастичных состояний и выполнить оценки эффективной массы (meff1,2 ≈ 130-150 m0) и радиуса локализации (a*p1,2 ≈ 1,7 и 14 Å) носителей заряда в CeCu6. Для соединения CeCu5, 9Au0,1, отвечающего ККТ, обнаружено скоррелированное степенное поведение температурной зависимости коэффициента Холла RH(T)~T-0,4 и магнитной восприимчивости c(T) ~ T-0,4, характеризующее режим квантового критического поведения. Для соединений в непосредственной окрестности ККТ обнаружен аномальный четный вклад RH2 угловые зависимости холловского напряжения, проявляющийся при температурах ниже T* ~ 24 К и усиливающийся с ростом магнитного поля. Обсуждаются различные сценарии прохождения квантовой критической точки и их применимость для описания аномалий в эффекте Холла в твердых растворах замещения CeCu6-xAux.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2009-05-28
Як цитувати
(1)
Случанко, Н.; Случанко, Д.; Глушков, В.; Демишев, С.; Кузнецов, А.; Самарин, Н.; Бурханов, Г.; Чистяков, О. Аномалии эффекта Холла в окрестности квантовой критической точки в CeCu6-xAux. Fiz. Nizk. Temp. 2009, 35, 694-709.
Номер
Розділ
Електронні властивості провідних систем