Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях

Анотація

При температуре T = 80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов n_s = 6,2∙10⁸ см^-2 над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды переменного электрического поля (1-30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость отклика экспериментальной ячейки на переменное напряжение при частотах, когда возбуждаются связанные электрон-риплонные резонансы (1-20 МГц), а также зависимость проводимости электронного слоя от ведущего поля при двух фиксированных частотах 4 и 5 МГц. Обнаружена сложная немонотонная зависимость проводимости кристалла от ведущего поля, которая, очевидно, отражает динамический фазовый переход в системе.