О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.2796159Ключові слова:
локальная плотность состояний, метод присоединенных плоских волн, вакансия, аморфная пленка.Анотація
Путем ab initio численного моделирования методом полного потенциала линеаризованных присоединенных плоских волн вычислены плотность электронных состояний и зарядовая плотность идеального кристалла бериллия и кристалла, в котором каждый 64-й узел решетки вакантен. Обнаружено, что плотность электронных состояний бериллия с подрешеткой вакансий на уровне Ферми примерно в два раза больше, чем у идеального кристалла. При этом зарядовая плотность электронов проводимости на уровне Ферми имеет глубокий минимум в области вакансии и претерпевает существенные изменения в межузельных полостях вокруг вакансии. Оценка показывает, что температура сверхпроводящего перехода бериллия с вакансиями приблизительно в 150 раз выше, чем в идеальном кристалле.
Downloads
Опубліковано
2007-08-27
Як цитувати
(1)
А.С. Бакай, А.Н. Тимошевский, С.А. Калькута, А. Месланг, and В.П. Владимиров, О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия, Low Temp. Phys. 33, (2007) [Fiz. Nizk. Temp. 33, 1170-1173, (2007)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2796159.
Номер
Розділ
Листи до редакції
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
