Смена знака магнитосопротивления в сверхпроводящих пленках: роль краевого барьера

Автор(и)

  • В.В. Заскалько Нижегородский государственный университет, пр. Гагарина, 23/3, г. Н. Новгород, 603950, Россия
  • И.Л. Максимов Нижегородский государственный университет, пр. Гагарина, 23/3, г. Н. Новгород, 603950, Россия
  • Д.Ю. Водолазов Нижегородский государственный университет, пр. Гагарина, 23/3, г. Н. Новгород, 603950, Россия

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.2746853

Ключові слова:

сверхпроводники II рода, магнитосопротивление, пиннинг магнитного потока.

Анотація

Исследованы резистивные характеристики бездефектных сверхпроводников второго рода с краевым барьером. Анализ проведен на основе модельной системы, представляющей собой бесконечно длинную полоску конечной ширины W и толщины d << W. Численное решение уравнений Максвелла-Лондона, рассматриваемых в рамках гидродинамического описания, позволяет рассчитать вольтамперные характеристики и магнитосопротивление образца (МС) R(H). Обнаружено, что положительное МС (dR/dH >0), имеющее место в области низких значений транспортного тока I < I* (I* - ток перехода), изменяет знак: dR/dH < 0 при I > I* . Эффект смены знака МС объясняется изменением доминирующего механизма диссипации энергии в пленке (т.е. переходом от вязких потерь к аннигиляционным). Показано, что наличие слабого пиннинга магнитного потока не приводит к изменению поведения R(H).

Опубліковано

2007-08-27

Як цитувати

(1)
В.В. Заскалько, И.Л. Максимов, and Д.Ю. Водолазов, Смена знака магнитосопротивления в сверхпроводящих пленках: роль краевого барьера, Low Temp. Phys. 33, (2007) [Fiz. Nizk. Temp. 33, 1080-1086, (2007)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2746853.

Номер

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають