О квантовой природе носителей заряда в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных купратных ВТСП
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.2746837Ключові слова:
псевдощелевое состояние, квантовая диффузия, концентрация допирования, фазовая диаграмма состояний.Анотація
Обсуждается предположение о том, что в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных (НД) купратных ВТСП при T≤T* (psh) переход плоскости CuO2 при понижении температуры к металлическому поведению обусловлен квантовой диффузией, предсказанной для "дефектонов" в 1969 г. А.Ф. Андреевым и И.М. Лифшицем. Показано, что особенности псевдощелевого состояния определяются только свойствами CuO2-плоскости и концентрацией допирования psh. Понижение температуры T≤TAL(psh) приводит к существованию на общей магнитной фазовой диаграмме состояний универсальной линии TAL(psh)≤ 815psh перехода плоскости CuO2 в состояние 2D вихревого металла с подвижными носителями заряда - 2D вихрями, совместимыми с антиферромагнетизмом плоскости CuO2. Построена фазовая диаграмма состояний НД монокристалла YBaCu3Oy с линией TAL(psh) ≤ T* (psh), которая согласуется с известными экспериментальными данными для других НД купратных ВТСП.
Downloads
Опубліковано
2007-07-02
Як цитувати
(1)
Г.Г. Сергеева and А.А. Сорока, О квантовой природе носителей заряда в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных купратных ВТСП, Low Temp. Phys. 33, (2007) [Fiz. Nizk. Temp. 33, 864-869, (2007)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2746837.
Номер
Розділ
Надпровідність, зокрема високотемпературна
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.