Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова

Анотація

Экспериментально исследованы и проанализированы температурные зависимости стимулированного микроволновым полем максимального тока существования вихревого резистивного состояния широких и тонких оловянных пленок I_m^P(T). Показано, что экспериментальнo полученные температурные зависимости тока I_m^P(T) хорошо аппроксимируются формулами, аналогичными формуле для равновесного случая теории Асламазова-Лемпицкого, в которой критическая температура Т_с заменена стимулированной критической температурой T_c^P, причем это справедливо для всей температурной области существования режима широкой пленки. Обнаружено, что с увеличением частоты облучения абсолютная величина I_m^P(T) растет, а температурная область стимуляции I_m^P(T) расширяется в направлении более низких температур.