Эффект де Гааза-ван Альфена в диборидах ScB2, ZrB2 и HfB2
Электpонные свойства металлов и сплавов
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.2720083Ключові слова:
эффект де Гааза-ван Альфена, дибориды, поверхность Ферми.Анотація
Выращены монокристаллы гексагональной структуры ScB2, ZrB2 и HfB2 и исследованы свойства поверхностей Ферми этих соединений с помощью эффекта де Гааза-ван Альфена (дГвА). Измерены угловые зависимости частот дГвА осцилляций в плоскостях(101̅0),(112̅0),(0001)и значения их эффективных циклотронных масс. Частоты обнаруженных осцилляций находятся в интервале (0,96-28,8)·102 Тл, а измеренные циклотронные массы - в диапазоне (0,09-0,87) m0. Для соединения ZrB2 экспериментально получены значения константы электрон-фононного взаимодействия l на различных сечениях его поверхности Ферми. Величина константы l меняется от 0,05 до 0,16.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2007-04-04
Як цитувати
(1)
Плужников, В.; Свечкарев, И.; Духненко, А.; Левченко, А.; Филиппов, В.; Чопник, А. Эффект де Гааза-ван Альфена в диборидах ScB2, ZrB2 и HfB2: Электpонные свойства металлов и сплавов. Fiz. Nizk. Temp. 2007, 33, 473-478.
Номер
Розділ
Статті