Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS3xSe3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9)

Новые электронные материалы и системы

Автор(и)

  • О.Л. Хейфец Уральский государственный университет, пр. Ленина, 51, г. Екатеринбург, 620083, Россия
  • А.Н. Бабушкин Уральский государственный университет, пр. Ленина, 51, г. Екатеринбург, 620083, Россия
  • О.А. Шабашова Уральский государственный университет, пр. Ленина, 51, г. Екатеринбург, 620083, Россия
  • Н.В. Мельникова Уральский государственный университет, пр. Ленина, 51, г. Екатеринбург, 620083, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.2719968

Ключові слова:

твердые электролиты, полупроводники, халькогениды, криоэлектроника, сегнетоэлектрики.

Анотація

Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS3xSe3(1-x) (x = 0,1–0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляется особое поведение электропроводности и диэлектри ческой проницаемости исследованных материалов.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2007-02-05

Як цитувати

(1)
Хейфец, О.; Бабушкин, А.; Шабашова, О.; Мельникова, Н. Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS3xSe3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9): Новые электронные материалы и системы. Fiz. Nizk. Temp. 2007, 33, 374-377.

Номер

Том 33 № 2-3 (2007)

Розділ

Статті