Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы

Автор(и)

  • А.И. Безуглый Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт" ул. Академическая, 1, г. Харьков, 61108, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.2126944

Ключові слова:

PACS: 73.90. f, 73.40.Gk

Анотація

При низких температурах в полупроводниковых гетероструктурах с двумя близко расположенными электронными слоями наблюдается высокий узкий пик межслоевой дифференциальной туннельной проводимости. Этот пик является следствием межслоевой фазовой когерентности, которая устанавливается в системе благодаря бозе-конденсации межслоевых экситонов, т.е. пар из электрона и дырки, принадлежащих разным слоям. Показано, что повышение температуры сглаживает пик туннельной проводимости в результате увеличения флуктуаций межслоевого напряжения. Полученная зависимость высоты пика от температуры согласуется с экспериментом.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2005-08-22

Як цитувати

(1)
Безуглый, А. Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы. Fiz. Nizk. Temp. 2005, 31, 1153-1157.

Номер

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>