Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg1-xMnxTe

Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами

Автор(и)

  • И.М. Несмелова ФГУП НПО "Государственный институт прикладной оптики", г. Казань, 420075, Россия
  • В.Н. Рыжков ФГУП НПО "Государственный институт прикладной оптики", г. Казань, 420075, Россия
  • М.И. Ибрагимова Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН, Сибирский тракт, 10/7, г. Казань, 420029, Россия
  • В.Ю. Петухов Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН, Сибирский тракт, 10/7, г. Казань, 420029, Россия

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.1820021

Ключові слова:

PACS: 72.10.–d, 72.40. w, 75.50.–y

Анотація

Проведено комплексное исследование электрофизических свойств полумагнитного тройного твердого раствора Hg1-xMnxTe, альтернативного материалу Hg1-xCdxTe. Изучены процессы рассеяния носителей заряда, оптические, фотоэлектрические и магнитные свойства материала. Получены значения эффективных масс электронов и дырок, энергии ионизации акцепторного уровня и g-фактора носителей заряда в зависимости от содержания теллурида марганца, концентрации электронов и дырок при температурах 300 и 77 К. Показана возможность применения методов радиоспектроскопии для диагностики полумагнитного материала. Методами барьеров Шоттки, диффузией в парах ртути и имплантацией ионов В+ в образцы р-Hg1-xMnxTe получены фотодиодные структуры, характеристики которых близки к значениям при работе в режиме фонового ограничения.

Downloads

Опубліковано

2004-09-21

Як цитувати

(1)
И.М. Несмелова, В.Н. Рыжков, М.И. Ибрагимова, and В.Ю. Петухов, Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg1-xMnxTe: Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами, Low Temp. Phys. 30, (2004) [Fiz. Nizk. Temp. 30, 1203-1208, (2004)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1820021.

Номер

Том 30 № 11 (2004)

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають