Низкотемпературные аномалии подвижности и осцилляций Шубникова-де Гааза при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях в полупроводниках. Объяснение на основе подхода Фриделя
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.1705441Ключові слова:
PACS: 72.10.Fk, 72.20.Dp, 72.80.EyАнотація
Исследованы проявления резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в низкотемпературной проводимости полупроводников в условиях, когда донорный резонансный уровень энергии примесей расположен в полосе проводимости. Показано, что на основе применения теории резонансного рассеяния в рамках подхода Фриделя можно объяснить стабилизацию концентрации электронов, максимум их подвижности и минимум температуры Дингла в зависимости от концентрации донорных примесей, а также связанные с резонансом аномальные температурные зависимости подвижности. Получены новые экспериментальные данные по концентрации, подвижности и температуре Дингла электронов в кристаллах селенида ртути с примесями железа и установлено, что они, как и уже известные результаты, вполне согласуются с закономерностями, предсказываемыми в развитом подходе. Обсуждается соотношение данного подхода с использовавшейся до сих пор интерпретацией концентрационного максимума подвижности и приведены аргументы в пользу его применимости.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2004-02-27
Як цитувати
(1)
Окулов, В.; Сабирзянова, Л.; Сазонова, К.; Паранчич, С. Низкотемпературные аномалии подвижности и осцилляций Шубникова-де Гааза при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях в полупроводниках. Объяснение на основе подхода Фриделя. Fiz. Nizk. Temp. 2004, 30, 441-446.
Номер
Розділ
Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках