Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках

Анотація

Проанализированы оптические спектры напряженных сверхрешеток второго типа ZnSe/ZnTe, как свежевыращенных, так и хранившихся в течение некоторого времени, с учетом образования на их гетерограницах смешанных слоев ZnSe_1-xTe_x, имеющих кластерную структуру. Рассчитана зависимость энергии локализации дырок от радиуса кластеров атомов Te, которая хорошо согласуется с экспериментальными данными. В образцах, хранившихся в течение некоторого времени, обнаружено изменение формы и монотонное смещение полосы фотолюминесценции в коротковолновую сторону. Показано, что причина смещения связана с изменением внутренней структуры смешанных слоев со временем и образованием локальных состояний, наведенных изоэлектронными примесями (атомами Te).