Особенности угловой зависимости критического тока в тонких эпитаксиальных плeнках ВТСП YBa2Cu3O7-d в магнитном поле

Автор(и)

  • Ю.В. Федотов Институт физики НАН Украины, пр. Науки, 46, 03028, г. Киев, Украина
  • Э.А. Пашицкий Институт физики НАН Украины, пр. Науки, 46, 03028, г. Киев, Украина
  • С.М. Рябченко Институт физики НАН Украины, пр. Науки, 46, 03028, г. Киев, Украина
  • В.А. Комашко Институт металлофизики НАН Украины, бульвар Вернадского, 36, 03642, г. Киев, Украина
  • В.М. Пан Институт металлофизики НАН Украины, бульвар Вернадского, 36, 03642, г. Киев, Украина
  • В.С. Флис Институт металлофизики НАН Украины, бульвар Вернадского, 36, 03642, г. Киев, Украина
  • Ю.В. Черпак Институт металлофизики НАН Украины, бульвар Вернадского, 36, 03642, г. Киев, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1596791

Ключові слова:

PACS: 74.72.Bk, 74.76.Bz, 74.25.Ha

Анотація

Исследованы зависимости плотности критического тока jc от величины и направления магнитного поля H в тонких эпитаксиальных пленках YBa2Cu3O7-d с высокой jc в отсутствие поля (~ 106 А/см2 при 77 К) и с толщиной d, меньшей удвоенной глубины проникновения магнитного поля l. Установлено, что зависимости jc(H) имеют низкополевые плато как при перпендикулярном, так и при параллельном пленке поле. В магнитном поле, перпендикулярном пленке, плато "эффективного пиннинга" простирается до поля, соответствующего достижению плотности "прошивающих" пленку вихрей Абрикосова, при которой им уже не выгодно быть всем запиннингованными на краевых дислокациях в межблочных границах, и часть вихрей становится непиннингованной. В отличие от этого в поле, параллельном пленке, окончание плато не связано с депиннингом проникших в нее параллельных пленке вихрей, а уменьшение jc(H) за пределами плато определяется ослаблением пиннинга перпендикулярных пленке вихрей в параллельном ей магнитном поле. Низкополевое плато на зависимости jc(H) для поля, лежащего в плоскости пленки, оказывается шире, чем плато при нормальном намагничивании. Поэтому зависимость jc от угла между H и нормалью к пленке имеет один максимум при поле, лежащем в плоскости пленки. В пленках, полученных лазерным либо электронно-лучевым испарением YBa2Cu3O7-d или компонентов этого состава, измерения jc на которых велись индукционным методом, уменьшение jc при увеличении поля в плоскости пленки начинается раньше первого критического поля для проникновения вихрей в плоскость пленки. А на магнетронно-осажденной пленке, где jc измерялся транспортным методом, это уменьшение jc начинается в поле много большем указанного критического поля. Обсуждены возможные соотношения между параметрами зависимости jc(H) и первого критического поля для проникновения вихрей в плоскость пленки, в том числе и те, которые приводят к различным угловым зависимостям критического тока.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2003-06-27

Як цитувати

(1)
Федотов, Ю.; Пашицкий, Э.; Рябченко, С.; Комашко, В.; Пан, В.; Флис, В.; Черпак, Ю. Особенности угловой зависимости критического тока в тонких эпитаксиальных плeнках ВТСП YBa2Cu3O7-d в магнитном поле. Fiz. Nizk. Temp. 2003, 29, 842-857.

Номер

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 4 5