Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона

Автор(и)

  • А.Г. Белов Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • Е.И. Тарасова Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • Е.М. Юртаева Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1542504

Ключові слова:

PACS: 78.55.Hx, 78.60.Hk, 71.35.Cc

Анотація

Проведено комплексное экспериментальное исследование основных характеристик излучения кристаллического ксенона с Emax = 2 эВ (полоса А) в зависимости от температуры, концентрации примесей, совершенства структуры решетки и дозы облучения. Проведено сравнение параметров излучения этой полосы с аналогичными параметрами излучения свободных экситонов, локализованных дырок Xe2+* и примесных центров Хе2О*, полосы которых регистрировались параллельно. Проанализированы спектры фотовозбуждения полосы А и кривые затухания люминесценции во времени. Излучение с аналогичной структурой с Emax = 2,05 эВ обнаружено также в бинарных кристаллах Ar+Xe при высоких (~10%) концентрациях ксенона. Cделан вывод, что наблюдаемое излучение обусловлено собственными возбужденными состояниями молекулярного типа, локализованными в объеме кристалла и расположенными в зоне проводимости в области энергий вблизи 10 эВ.

Downloads

Опубліковано

2003-04-08

Як цитувати

(1)
Белов, А.; Тарасова, Е.; Юртаева, Е. Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона. Fiz. Nizk. Temp. 2003, 29, 539-555.

Номер

Том 29 № 5 (2003)

Розділ

Фізичні властивості кpіокpисталів

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають