Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах

Автор(и)

  • П. В. Горский Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича ул. Коцюбинского, 2, г. Черновцы, 58001, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.1521297

Ключові слова:

PACS: 72.20.My, 71.30. h

Анотація

Определена неосциллирующая по магнитному полю часть магнитосопротивления слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов при условии, что время релаксации носителей заряда обратно пропорционально их плотности состояний. Доказана возможность инверсии магнитосопротивления в зависимости от концентрации носителей, температуры, магнитного поля и величины эффективного притягивающего взаимодействия, приводящего к зарядовому упорядочению.

Downloads

Опубліковано

2002-09-10

Як цитувати

(1)
П. В. Горский, Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах, Low Temp. Phys. 28, (2002) [Fiz. Nizk. Temp. 28, 1072-1077, (2002)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1521297.

Номер

Том 28 № 10 (2002)

Розділ

Низькоpозмірні та невпорядковані системи

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.