Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах

Автор(и)

  • П. В. Горский Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича ул. Коцюбинского, 2, г. Черновцы, 58001, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1521297

Ключові слова:

PACS: 72.20.My, 71.30. h

Анотація

Определена неосциллирующая по магнитному полю часть магнитосопротивления слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов при условии, что время релаксации носителей заряда обратно пропорционально их плотности состояний. Доказана возможность инверсии магнитосопротивления в зависимости от концентрации носителей, температуры, магнитного поля и величины эффективного притягивающего взаимодействия, приводящего к зарядовому упорядочению.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2002-09-10

Як цитувати

(1)
Горский, П. В. Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах. Fiz. Nizk. Temp. 2002, 28, 1072-1077.

Номер

Том 28 № 10 (2002)

Розділ

Низькоpозмірні та невпорядковані системи