Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.1521297Ключові слова:
PACS: 72.20.My, 71.30. hАнотація
Определена неосциллирующая по магнитному полю часть магнитосопротивления слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов при условии, что время релаксации носителей заряда обратно пропорционально их плотности состояний. Доказана возможность инверсии магнитосопротивления в зависимости от концентрации носителей, температуры, магнитного поля и величины эффективного притягивающего взаимодействия, приводящего к зарядовому упорядочению.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
![](https://fnt.ilt.kharkov.ua/public/journals/1/submission_28_1072_en_US.png)
Downloads
Опубліковано
2002-09-10
Як цитувати
(1)
Горский, П. В. Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах. Fiz. Nizk. Temp. 2002, 28, 1072-1077.
Номер
Розділ
Низькоpозмірні та невпорядковані системи