Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации

Автор(и)

  • А. И. Иванов Ракетно-космический комплекс "Энергия" им. С. П. Королева г. Королев, Московск. обл., 141070, Россия
  • А. Н. Лукьянов Ракетно-космический комплекс "Энергия" им. С. П. Королева г. Королев, Московск. обл., 141070, Россия
  • Б. А. Мерисов Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина пл. Свободы, 4, г.Харьков, 61077, Украина
  • А. В. Сологубенко Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина пл. Свободы, 4, г.Харьков, 61077, Украина
  • Г. Я. Хаджай Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина пл. Свободы, 4, г.Харьков, 61077, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1491187

Ключові слова:

PACS: 66.60. a

Анотація

В интервале темпеpатуp 2-300 К проведено сравнительное исследование теплопроводности образцов монокpисталла GaAs, полученных в земных условиях и аналогичным способом в условиях микрогравитации на пилотируемой станции "Мир". Обнаружено, что тепло в образцах переносится фононами. Проведена согласованная обработка температурных зависимостей теплопроводности "земного" и "космического" образцов в рамках дебаевской модели фононного спектра с учетом граничного и резонансного рассеяний, а также рассеяния на "плоских дефектах" и фонон-фононных U-процессов. Различие в зависимостях теплопроводности "космического" и "земного" образцов связано с наличием в "земном" образце избыточного мышьяка, который обусловливает как резонансное рассеяние, так и рассеяние на "плоских дефектах", в качестве последних могут быть кластеры атомов мышьяка.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2002-05-11

Як цитувати

(1)
Иванов, А. И.; Лукьянов, А. Н.; Мерисов, Б. А.; Сологубенко, А. В.; Хаджай, Г. Я. Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации. Fiz. Nizk. Temp. 2002, 28, 648-652.

Номер

Том 28 № 6 (2002)

Розділ

Динаміка кристалічної гратки

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2