Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов

Автор(и)

  • А. П. Жернов Российский научный центр "Курчатовский институт", Институт сверхпроводимости и физики твердого тела, пл. Курчатова, 4, г. Москва, 123182, Россия

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.1461925

Ключові слова:

PACS: 65.70. y

Анотація

Обсуждается вопрос о влиянии композиции изотопов компонентов соединения на структуру энергетических зон Ef,n в полупроводниках. Рассматривается роль возникающих при варьировании изотопического состава изменений объема элементарной ячейки решетки и перенормировки электрон-фононного взаимодействия. Для случая моноатомных систем в приближении виртуального кристалла получено универсальное соотношение для зависимости зон от состава и температуры.

Downloads

Опубліковано

2001-12-26

Як цитувати

(1)
А. П. Жернов, Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов, Low Temp. Phys. 28, (2001) [Fiz. Nizk. Temp. 28, 183-193, (2001)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1461925.

Номер

Том 28 № 2 (2002)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають