Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe2 и TlInS2
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.1399208Ключові слова:
PACS: 65.70. yАнотація
Приведены данные экспериментальных исследований теплового расширения слоистых монокристаллов TlGaSe2 и TlInS2 в плоскости слоев и в перпендикулярном слоям направлении в области температур 20-300 К. Обнаруженные особенности теплового расширения обсуждаются в свете имеющихся данных об упругих свойствах TlGaSe2 и TlInS2. Выявлено, что отличия в температурном поведении коэффициентов теплового расширения в плоскости слоев a||(T) в кристаллах TlGaSe2 и TlInS2 обусловлены различной степенью анизотропии этих кристаллов, а также разной величиной "межслоевой" упругой постоянной C13.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2001-08-10
Як цитувати
(1)
Абдуллаев, Н. А.; Мамедов, Т. Г.; Сулейманов, Р. А. Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe2 и TlInS2. Fiz. Nizk. Temp. 2001, 27, 915-920.
Номер
Розділ
Динаміка кристалічної гратки