Влияние давления, темпеpатуpы и магнитного поля на сопротивление и магниторeзистивный эффект манганит-лантановой керамики и пленки La0,7Mn1,3O3±d
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.1388419Ключові слова:
PACS: 72.10.Di, 72.15.Gd, 62.50. pАнотація
В широком температурном интервале T=77-350 К исследовали влияние напряженности магнитного поля H=0-8 кЭ и высоких гидростатических давлений P=0-2,2 ГПа на удельное сопротивление r, магниторезистивный эффект (МРЭ) DR/R0, температуру фазового перехода металл-полупроводник Tms и пика МРЭ Tp керамической мишени и лазерной пленки одинакового катионного состава La0,7Mn1,3O3±d. Рост Н и Р приводит к уменьшению сопротивления. Обнаруженное различие r, Tms и Tp керамики и пленки объяснено различной их кислородной нестехиометрией. Увеличение Н приводит к увеличению, а Р - к уменьшению МРЭ. С увеличением Р увеличиваются Tms и Tp керамики и пленки, причем более существенно пленки. Два фазовых перехода (основной с Tms = 250 К и дополнительный с T ¢ms=210 K), наблюдаемые в керамике, объяснены ее мезоскопической неоднородностью кластерного типа.
Downloads
Опубліковано
2001-07-10
Як цитувати
(1)
С. С. Кучеренко, В. П. Пащенко, П. И. Поляков, В. А. Штаба, and А. А. Шемяков, Влияние давления, темпеpатуpы и магнитного поля на сопротивление и магниторeзистивный эффект манганит-лантановой керамики и пленки La0,7Mn1,3O3±d, Low Temp. Phys. 27, (2001) [Fiz. Nizk. Temp. 27, 761-766, (2001)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1388419.
Номер
Розділ
Низькотемпературний магнетизм
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
