Пьезоэлектрический механизм ориентации
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.1374725Ключові слова:
PACS: 73.20.Dx, 77.65.-jАнотація
Рассмотрен механизм ориентации двухслойных классических вигнеровских кристаллов в пьезоэлектрической среде. Для системы GaAs рассчитана поправка к электростатическому взаимодействию между электронами, определяемая пьезоэлектрическим эффектом. Показано, что учет такой поправки приводит к зависимости полной энергии электронного кристалла от его ориентации относительно кристаллографических осей матрицы окружения. Получено обобщение метода Эвальда для расчета анизотропного взаимодействия между электронами в вигнеровском кристалле. С использованием этого метода рассчитана энергия двухслойных вигнеровских кристаллов в электронных слоях, параллельных кристаллографическим плоскостям (001), (0-11), (111), в зависимости от их ориентации и расстояния между слоями и найдена наиболее энергетически выгодная ориентация для всех типов электронных решеток в двухслойной системе. Показано, что в двухслойном вигнеровском кристалле фазовые переходы между структурами с различной симметрией решетки могут сопровождаться изменением его ориентации.
Downloads
Опубліковано
2001-05-10
Як цитувати
(1)
Д. В. Филь, Пьезоэлектрический механизм ориентации, Low Temp. Phys. 27, (2001) [Fiz. Nizk. Temp. 27, 523-531, (2001)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1374725.
Номер
Розділ
Низькоpозмірні та невпорядковані системи
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.