Поверхностный импеданс тонкой сверхпроводящей пленки в параллельном магнитном поле

Автор(и)

  • Д. А. Лужбин Институт металлофизики НАН Украины, бульв. Акад. Вернадского, 36, г. Киев-142, 03680, Украина
  • А. Л. Касаткин Институт металлофизики НАН Украины, бульв. Акад. Вернадского, 36, г. Киев-142, 03680, Украина
  • В. М. Пан Институт металлофизики НАН Украины, бульв. Акад. Вернадского, 36, г. Киев-142, 03680, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1374716

Ключові слова:

PACS: 74.25.Nf, 74.60.Ec, 74.60.Ge

Анотація

Рассмотрена задача о поверхностном СВЧ импедансе сверхпроводящей пленки в параллельном ее поверхности постоянном магнитном поле H. В пленках толщиной d < l (l - лондоновская глубина проникновения) смешанное состояние при параллельной ориентации внешнего поля представляет собой набор вихревых рядов, число которых изменяется дискретным образом при характерных значениях магнитного поля Hc1(N)(d)(Hc1(N)(d) - поле вхождения N-го ряда вихрей). Рассчитан поверхностный импеданс пленки в поле нормально падающей СВЧ волны с учетом вклада колеблющихся вихревых рядов. Пpоведено обобщение результатов, полученных в pамках известных теоретических моделей (Коффи-Клема, Бpандта), для поверхностного импеданса сверхроводников в смешанном состоянии в случае тонких пленок, когда существенными становятся размерные эффекты в структуре и динамике вихревой решетки.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2001-05-10

Як цитувати

(1)
Лужбин, Д. А.; Касаткин, А. Л.; Пан, В. М. Поверхностный импеданс тонкой сверхпроводящей пленки в параллельном магнитном поле. Fiz. Nizk. Temp. 2001, 27, 455-462.

Номер

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна