Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr2 Si2
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.1334437Ключові слова:
PACS: 75.25. zАнотація
В рамках феноменологического подхода показано, что в соединениях типа ThCr2 Si2 пространственная группа симметрии I4/mmm парамагнитной фазы возникает в результате структурного фазового перехода из плотноупакованной прафазы с группой симметрии Im3m. Найдено, что реальные магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr2 Si2 описываются параметрами переходов, принадлежащими одному направлению, соединяющему точки максимальной симметрии в зоне Бриллюэна группы I4/mmm. Показано, что ваpиации модуля волнового вектора являются следствием изменения концентрации допирующего вещества. Получены пространственные зависимости параметра порядка в несоpазмерных фазах для соответствующих классов унивеpсальности.
Downloads
Опубліковано
2000-12-10
Як цитувати
(1)
Б. Р. Гаджиев, Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr2 Si2, Low Temp. Phys. 26, (2000) [Fiz. Nizk. Temp. 26, 1182-1190, (2000)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1334437.
Номер
Розділ
Низькотемпературний магнетизм
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.