Температура сверхпроводящего перехода и коэффициент изотопического эффекта в сверхпроводниках с малыми значениями энергии Ферми

Автор(и)

  • М. Е. Палистрант Институт прикладной физики, Молдова, 2028, г. Кишинев, ул. Академическая, 5

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.593916

Ключові слова:

PACS: 74.20.√z, 74.10. v

Анотація

Исследована сверхпроводимость в системах с переменной плотностью носителей заряда, сильными электронными корреляциями (путем учета влияния этих корреляций на электрон-фононное взаимодействие) и малыми энергиями Ферми. Последнее обстоятельство приводит к нарушению теоремы Мигдала и к необходимости учета вершинных и пересекающихся диаграмм по электрон-фононному взаимодействию (Pv , Pc ). Рассмотрена двумерная и трехмерная системы. Найдены величины Pv и Pc и уравнение для импульса обрезания электрон-фононного взаимодействия Qc . Показана зависимость этой величины от концентрации носителей заряда. Получены выражения для температуры сверхпроводящего перехода Tc и коэффициента изотопического эффекта a и проанализировано их поведение как функций концентрации носителей заряда. Определены значения плотностей носителей заряда, при которых возможна сверхпроводимость в двумерной и трехмерной системах.

Опубліковано

2000-06-10

Як цитувати

(1)
М. Е. Палистрант, Температура сверхпроводящего перехода и коэффициент изотопического эффекта в сверхпроводниках с малыми значениями энергии Ферми, Low Temp. Phys. 26, (2000) [Fiz. Nizk. Temp. 26, 557-566, (2000)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593916.

Номер

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають