Эффект насыщения в задаче о микроволновом поглощении энергии 2D электронами на пленке гелия

Анотація

Обсуждаются детали поглощения ВЧ электромагнитного поля 2D электронами на тонкой пленке гелия в зависимости от величины прижимающего электрического поля. Отмечена связь этой задачи с проблемой насыщения в 2D электронной системе. Специально изучен случай цилиндрической геометрии, качественно отвечающий условиям эксперимента в [1]. Показано, что полученные данные относительно полевой зависимости поглощения энергии ВЧ поля 2D электронами содержат информацию о пересыщенных электронных состояниях в ячейке.