Эффект насыщения в задаче о микроволновом поглощении энергии 2D электронами на пленке гелия

Автор(и)

  • В. Б. Шикин Институт физики твердого тела РАН, Россия, 142432, п. Черноголовка, Московская обл.

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.593913

Ключові слова:

PACS: 67.70. n

Анотація

Обсуждаются детали поглощения ВЧ электромагнитного поля 2D электронами на тонкой пленке гелия в зависимости от величины прижимающего электрического поля. Отмечена связь этой задачи с проблемой насыщения в 2D электронной системе. Специально изучен случай цилиндрической геометрии, качественно отвечающий условиям эксперимента в [1]. Показано, что полученные данные относительно полевой зависимости поглощения энергии ВЧ поля 2D электронами содержат информацию о пересыщенных электронных состояниях в ячейке.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2000-06-10

Як цитувати

(1)
Шикин, В. Б. Эффект насыщения в задаче о микроволновом поглощении энергии 2D электронами на пленке гелия. Fiz. Nyzk. Temp. 2000, 26, 536-540.

Номер

Розділ

Квантові рідини та квантові кристали

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>