Влияние концентрации атомов Mn на физические явления в полумагнитном полупроводнике Hg1-x-yCrxMnySe

Автор(и)

  • В. Д. Прозоровский Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины, Украина, 340114, г. Донецк, ул. Р. Люксембург, 72
  • И. Ю. Решидова Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины, Украина, 340114, г. Донецк, ул. Р. Люксембург, 72
  • А. И. Пузыня Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины, Украина, 340114, г. Донецк, ул. Р. Люксембург, 72
  • Yu. S. Paranchich Yu. Phed`kovich Chernovzy State University, 2, Kozyubinskogo st., 274012 Chernovzy, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.593857

Ключові слова:

Анотація

Представлены результаты исследований магнитной восприимчивости и электронного спинового резонанса (ЭСР) на ионах Cr3+, Mn2+ в ряде образцов полумагнитного полупроводника Hg1-x-yCrxMnySe с x=0,02 и 0,01£y£0,08. Экспериментальные результаты свидетельствуют, что наличие в этой системе ионов хрома и марганца, образующих две взаимодействующие подсистемы, приводит к тому, что структура спектра ЭСР и характер его смещения по магнитному полю с изменением температуры зависят от соотношения концентраций ионов хрома и марганца; наблюдаемый переход Hg1-x-yCrxMnySe в фазу спинового стекла не связан с искажением симметрии решетки кристалла. Установлены общие и отличительные свойства систем Hg1-xCrxSe и Hg1-x-yCrxMnySe.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2000-01-10

Як цитувати

(1)
Прозоровский, В. Д.; Решидова, И. Ю.; Пузыня, А. И.; Paranchich, Y. S. Влияние концентрации атомов Mn на физические явления в полумагнитном полупроводнике Hg1-X-yCrxMnySe. Fiz. Nizk. Temp. 2000, 26, 34-38.

Номер

Розділ

Низькотемпературний магнетизм

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2