К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования

Автор(и)

  • М. А. Иванов Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины, Украина, 252152, г. Киев, пр. Вернадского, 36
  • В. М. Локтев Институт теоретической физики им. Н. Н. Боголюбова НАН Украины, Украина, 252143, г. Киев, ул. Метрологическая, 14,б

Ключові слова:

Анотація

Предложен механизм формирования неоднородного, состоящего из доменов металлической и диэлектрической фаз основного состояния слабо легированных систем. Он состоит в том, что образование зарядово-нейтральных металлических областей с возможно большей концентрацией свободных носителей (следовательно, и породивших их допантов) оказываeтся термодинамически выгодным.

Downloads

Опубліковано

1999-12-10

Як цитувати

(1)
М. А. Иванов and В. М. Локтев, К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования, Low Temp. Phys. 25, (1999) [Fiz. Nizk. Temp. 25, 1325-1328, (1999)].

Номер

Том 25 № 12 (1999)

Розділ

Короткі повідомлення

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 5 6 > >>