Кинетика роста и растворения включений 3He в расслоившихся твердых растворах 3He в 4He

Автор(и)

  • А. Н. Ганьшин Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • В. Н. Григорьев Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • В. А. Майданов Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • Н. Ф. Омелаенко Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • А. А. Пензев Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • Э. Я. Рудавский Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • А. С. Рыбалко Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • Ю. А. Токарь Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47

Ключові слова:

Анотація

Приведены подробные результаты экспериментального исследования кинетики роста, растворения и плавления твердых включений 3He, образующихся в результате фазового расслоения твердых растворов 3He в 4He. Пpедложена новая методика получения высококачественных кристаллов с использованием термоциклирования твердого раствора в области расслоения, что позволило получить воспроизводимые значения постоянных времени роста и растворения включений. С помощью прецизионных измерений давления кристалла при постоянном объеме получены данные об эффективной массовой диффузии атомов 3He в кристалле. Показано, что при низких температурах квантовая диффузия сильно подавляется за счет полей напряжений, возникающих вблизи границы включений. В процессе растворения включений обнаружен аномально быстрый перенос вещества и установлен его пороговый характер. Обнаруженные эффекты могут быть качественно объяснены в рамках предложенной модели многоступенчатого растворения включений 3He. Получены также данные об изменении давления в результате плавления и кристаллизации включений 3He. Высказано предположение, что при кристаллизации часть 3He остается в жидкой фазe.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

1999-08-10

Як цитувати

(1)
Ганьшин, А. Н.; Григорьев, В. Н.; Майданов, В. А.; Омелаенко, Н. Ф.; Пензев, А. А.; Рудавский, Э. Я.; Рыбалко, А. С.; Токарь, Ю. А. Кинетика роста и растворения включений 3He в расслоившихся твердых растворах 3He в 4He. Fiz. Nizk. Temp. 1999, 25, 796-814.

Номер

Розділ

Квантові рідини та квантові кристали

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 5 6 7 > >>