Определение низкоэнергетических электронных уровней иона Tm3+ в соединении KTm(MoO4)2

Автор(и)

  • М. И. Кобец Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • В. В. Курносов Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • В. А. Пащенко Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • Е. Н. Хацько Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.593752

Ключові слова:

Анотація

С ипользованием комплексной методики измерений восстановлена структура электронных энергетических уровней иона Tm3+ в кристалле KTm(MoO4)2 в диапазоне частот 0-300см-1. Показано, что первое возбужденное состояние находится очень близко к основному (DE = 2,3 см-1).

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

1999-05-10

Як цитувати

(1)
Кобец, М. И.; Курносов, В. В.; Пащенко, В. А.; Хацько, Е. Н. Определение низкоэнергетических электронных уровней иона Tm3+ в соединении KTm(MoO4)2. Fiz. Nizk. Temp. 1999, 25, 512-514.

Номер

Том 25 № 5 (1999)

Розділ

Короткі повідомлення

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 > >>