Quantum size effect and interlayer electron tunneling in metal-semiconductor superlattices

Электpонные свойства металлов и сплавов

Автор(и)

  • N. Ya. Fogel,R. I. Shekhter Department of Applied Physics, Chalmers University of Technology and Goteborg University, S 41296, Goteborg, Sweden
  • A. A. Slutskin Department of Applied Physics, Chalmers University of Technology and Goteborg University, S 41296, Goteborg, Sweden
  • N. Ya. Fogel B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering, 47 Lenin Ave., 310164 Kharkov, Ukraine
  • H. A. Kovtun,A. A. Slutskin B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering, 47 Lenin Ave., 310164 Kharkov, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.593720

Ключові слова:

PACS: 73.40.-c, 73.40.Sx, 73.40.Vz

Анотація

A new type of quantum size effect in metal-semiconductor superlattices is predicted. Giant oscillations of the transverse tunnel conductivity arise if size quantization of the electron spectrum in the metal layers takes place. This effect is due to the fact that the probability of metal electron tunneling through a semiconductor layer depends sharply on the electron incidence angle. The oscillations have been found to exist even in disordered systems, provided the electrons in metal layers undergo low-angle scattering on imperfections.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

1999-02-10

Як цитувати

(1)
Shekhter, N. Y. F. I.; Slutskin, A. A.; Fogel, N. Y.; Slutskin, H. A. K. A. Quantum Size Effect and Interlayer Electron Tunneling in Metal-Semiconductor Superlattices: Электpонные свойства металлов и сплавов. Fiz. Nizk. Temp. 1999, 25, 168-171.

Номер

Том 25 № 2 (1999)

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3