Границы устойчивости вихревого состояния в монокристалле YBaCuO

Анотація

Определен интервал значений внешнего поля H, в котором существует смешанное состояние с заданной индукцией B в монокристалле высокотемпературного сверхпроводника YBa₂Cu₃O_x для случая H^c. Для этой цели в интервале температур 70-84 К изучены полевые зависимости вклада m_n в динамическую магнитную проницаемость m¢_c от индуцированного слабым переменным полем колебательного движения вихрей, который в поле H испытывает гистерезисное поведение. Показано, что природа гистерезиса m_n(H) может быть объяснена в терминах взаимодействия вихревой решетки с поверхностью и обусловлена существованием гистерезиса B(H) вследствие проявления поверхностного барьера. Петли гистерезиса гистерезиса m_n(H), соответствующие разным температурам, описываются универсальной зависимостью в приведенных координатах. Проведенные оценки, а также сравнение теории с экспериментом выявили сильное подавление поверхностного барьера в реальном монокристалле YBaCuO по сравнению с ожидаемым для идеальной поверхности. В результате нижняя ветвь гистерезиса m_n(H), соответствующая увеличению поля H, оказывается близкой к равновесной зависимости m_n(H), а поверхностный барьер существенно влияет лишь на поведение m_n(H) в процессе уменьшения поля, т.е. на выход вихрей из сверхпроводника.