Определение характеристических параметров n-CdxHg1-xTe по квантовым осцилляциям

Автор(и)

  • Р. И. Баширов Республика Дагестан, 367003, г. Махачкала, ул. 26 Бакинских комиссаров, 94 Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН
  • В. А. Елизаров Республика Дагестан, 367003, г. Махачкала, ул. 26 Бакинских комиссаров, 94 Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН
  • А. Ю. Моллаев Республика Дагестан, 367003, г. Махачкала, ул. 26 Бакинских комиссаров, 94 Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН
  • Р. Р. Баширов Республика Дагестан, 367003, г. Махачкала, ул. 26 Бакинских комиссаров, 94 Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.593614

Ключові слова:

Анотація

В твердых растворах n-CdxHg1-xTe by при x = 0,19 и 0,226 исследованы продольное и поперечное магнитосопротивления при водородных и гелиевых температурах. При гелиевых температурах из анализа амплитуд осцилляций определены эффективные массы на дне зоны проводимости. Из величины расщепления первого максимума магнитосопротивления вычислены значения g-факторов.

Downloads

Опубліковано

1998-06-10

Як цитувати

(1)
Р. И. Баширов, В. А. Елизаров, А. Ю. Моллаев, and Р. Р. Баширов, Определение характеристических параметров n-CdxHg1-xTe по квантовым осцилляциям, Low Temp. Phys. 24, (1998) [Fiz. Nizk. Temp. 24, 577-579, (1998)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593614.

Номер

Том 24 № 6 (1998)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.