Исследовано низкотемпературное электросопротивление зинеровских ферромагнетиков rho (T), обусловленное взаимодействием проводящей и магнитной подсистем. Эффективный гамильтониан получен с использованием для операторов Хаббарда представления через локализованные псевдоспины и бесспиновые фермионы. Рассмотрен вклад в rho(T) процессов рассеяния носителей заряда на спиновых волнах и магнитных неоднородностях. Последние моделировались векторным полем со случайной ориентацией направления и положения рассеивающего центра. Найденная зависимость rho(T) = rho0 + rho1T3/2+ rho2T5/2 сравнивается с существующими экспериментальными и теоретическими результатами.