Перенос носителей в квазиодномерных электронных системах над жидким гелием в условиях сильной локализации

Анотація

Измерена проводимость носителей в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в температурном интеpвале 0,5-1,9 К в прижимающих электрических полях до 4 кB/см на частоте 1,1 МГц. Квазиодномерные каналы реализовывались с использованием дифракционной оптической решетки, покрытой тонким слоем гелия. Проводимость носителей экспоненциально уменьшается с понижением температуры T, энергия активации порядка нескольких градусов, что указывает на локализацию электронов в квазиодномерной электронной системе. При увеличении толщины слоя жидкого гелия, покрывающего решетку, при T 0,8 K наблюдается отклонение от моноэкспоненциальной зависимости, что может свидетельствовать о том, что при этих температурах в подвижности электронов начинают играть роль квантовые эффекты. На основании анализа полученных данных высказано предположение, что в квазиодномерных электронных системах в условиях локализации возможно существование двух ветвей оптической моды плазменных колебаний: высокочастотная ветвь, связанная с колебания электронов в потенциальных ямах, и низкочастотная ветвь, обусловленная колебаниями комплексов электpон-лунка с большой эффективной массой.