Молекуляpное состояние адсоpбции и веpоятность пpилипания молекул D2 на повеpхности W(110) пpи темпеpатуpе жидкого гелия
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.593425Ключові слова:
Анотація
Измерены зависимости коэффициента прилипания молекул D2 на поверхности вольфрама W(110) от степени покрытия S(theta) при температуре подложки Ts~ 5 К при различных условиях формирования адсорбированного слоя. Обнаруженный ранее (В. Д. Осовский и др. ,Письма в ЖЭТФ 60, 569 (1994)) эффект значительного повышения вероятности прилипания D2 при заселении слабосвязанных состояний физической адсорбции существенно усиливается на поверхности, покрытой упорядоченным монослоем атомов дейтерия, и в еще большей степени - при адсорбции на поверхности, покрытой атомарным и физически адсорбированным молекулярным монослоями. Наблюдаемые особенности зависимости S(theta) при Ts ~ 5 К объясняются с учетом островкового характера роста адсорбированного слоя и участия предсостояния в процессе его формирования. Получены также зависимости S(theta) для Ts = 78 и 300 К, свидетельствующие о ленгмюровском механизме адсорбции при заселении атомарного состояния 550 К и об адсорбции через предсостояние при формировании состояния 410 К.
Downloads
Опубліковано
1997-07-10
Як цитувати
(1)
В. Д. Осовский, Ю. Г. Птушинский, В. Г. Сукретный, and Б. А. Чуйков, Молекуляpное состояние адсоpбции и веpоятность пpилипания молекул D2 на повеpхности W(110) пpи темпеpатуpе жидкого гелия, Low Temp. Phys. 23, (1997) [Fiz. Nizk. Temp. 23, 779-783, (1997)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593425.
Номер
Розділ
Фізичні властивості кpіокpисталів
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.