Кинетика pоста кpисталла 4He с малой концентрацией пpимеси 3He
Ключові слова:
PACS: 67.80.MgАнотація
Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью 3He (x=8*10 -5, 2*10 -4). В интервале температур 1,2-1,4K примесь не влияла на кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного вклада в кинетику роста за счет диффузии примеси.
Downloads
Опубліковано
1997-05-10
Як цитувати
(1)
В. Л. Цымбаленко, Кинетика pоста кpисталла 4He с малой концентрацией пpимеси 3He, Low Temp. Phys. 23, (1997) [Fiz. Nizk. Temp. 23, 619-623, (1997)].
Номер
Розділ
Квантові рідини та квантові кристали
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.