Кинетика pоста кpисталла 4He с малой концентрацией пpимеси 3He

Автор(и)

  • В. Л. Цымбаленко Российский научный центр "Курчатовский институт", Институт сверхпроводимости и физики твердого тела, Россия, 123182 Москва,

Ключові слова:

PACS: 67.80.Mg

Анотація

Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью 3He (x=8*10 -5, 2*10 -4). В интервале температур 1,2-1,4K примесь не влияла на кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного вклада в кинетику роста за счет диффузии примеси.

Downloads

Опубліковано

1997-05-10

Як цитувати

(1)
В. Л. Цымбаленко, Кинетика pоста кpисталла 4He с малой концентрацией пpимеси 3He, Low Temp. Phys. 23, (1997) [Fiz. Nizk. Temp. 23, 619-623, (1997)].

Номер

Том 23 № 5-6 (1997)

Розділ

Квантові рідини та квантові кристали

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.