К теории состояния насыщения в полупроводнике с большой частотой рекомбинации носителей

Автор(и)

  • Л. И. Глазман
  • В. М. Цукерник

Ключові слова:

Опубліковано

1980-05-10

Як цитувати

(1)
Л. И. Глазман and В. М. Цукерник, К теории состояния насыщения в полупроводнике с большой частотой рекомбинации носителей, Low Temp. Phys. 6, (1980) [Fiz. Nizk. Temp. 6, 599-603, (1980)].

Номер

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 > >>