Interface phonon spectrum and electron-phonon interaction in AlGaN/GaN/AlGaN nanostructures

Анотація

Досліджено властивості електронних та інтерфейсних фононних станів, а також вплив електрон-інтерфейс-фононної взаємодії на спектральні характеристики електронів у наноструктурах AlGaN/GaN/AlGaN, як ключовому елементі нанопристроїв. Використовуючи метод функцій Гріна в умовах кріогенних температур, було розраховано оператор маси. Це дозволило дослідити перенормовані спектральні характеристики електронних станів внаслідок взаємодії з усіма гілками інтерфейсних фононів. Вивчено часткові внески окремих фононних гілок та конфігураційних взаємодій у зміщення двох найнижчих електронних станів. Встановлено, що взаємодія з інтерфейсними фононами при низьких температурах призводить до низькоенергетичних зміщень усіх електронних станів та до затухання лише збуджених станів. Також було проаналізовано вплив геометричних параметрів квантової ями на перенормування електронного спектра.