VUV photolysis of silane with nitric oxide in solid neon

Автор(и)

  • Sheng-Lung Chou National Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu 300076, Taiwan
  • Chih-Hao Chin National Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu 300076, Taiwan
  • J. F. Ogilvie Centre for Experimental and Constructive Mathematics, Department of Mathematics, Simon Fraser University Burnaby, BC V5A1S6, Canada
  • Yu-Jong Wu National Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu 300076, Taiwan

Ключові слова:

photochemistry, matrix isolation, quantum chemical calculation, IR absorption

Анотація

Представлено результати вакуумно-ультрафіолетового (ВУФ) фотолізу SiH4 і NO у твердому неоні при 3 К. Фотоліз при 130 нм призводить до утворення складного діапазону продуктів, включаючи SiH2 , Si2H6 та різні оксиди кремнію. Крім того, за підтримки квантово-хімічних розрахунків та експериментів із заміщенням D-ізотопом попередньо іденти фіковано новий продукт, H2SiN(H)O, як проміжну речовину реакції SiH3 з NO. Ці знахідки дають нове уявлення про ВУФ фотохімію SiH4 і NO в твердій матриці та пропонують цінну інформацію для розуміння хімії горіння на основі кремнію та астрохімії.

Downloads

Опубліковано

2025-02-21

Як цитувати

(1)
Chou, S.-L. .; Chin , C.-H. .; Ogilvie, J. F. .; Wu, Y.-J. . VUV Photolysis of Silane With Nitric Oxide in Solid Neon. Fiz. Nizk. Temp. 2025, 51, 452–458.

Номер

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають