Low-temperature electrical conductivity of ion-beam irradiated Bi–Sb films

Автор(и)

  • A. Andrino-Gómez Laboratorio de Bajas Temperaturas, Departamento de Física de la Materia Condensada, Condensed Matter Physics Center (IFIMAC), Universidad Autónoma de Madrid, E-28049 Madrid, Spain
  • M. Moratalla Laboratorio de Bajas Temperaturas, Departamento de Física de la Materia Condensada, Condensed Matter Physics Center (IFIMAC), Universidad Autónoma de Madrid, E-28049 Madrid, Spain
  • A. Redondo-Cubero Laboratorio de Microelectrónica, Departamento de Física Aplicada, Universidad Autónoma de Madrid, E-28049 Madrid, Spain
  • N. Gordillo Laboratorio de Microelectrónica, Departamento de Física Aplicada, Universidad Autónoma de Madrid, E-28049 Madrid, Spain
  • M. A. Ramos Laboratorio de Bajas Temperaturas, Departamento de Física de la Materia Condensada, Condensed Matter Physics Center (IFIMAC), Universidad Autónoma de Madrid, E-28049 Madrid, Spain

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0025622

Ключові слова:

electrical conductivity, resistivity, ion beam irradiation, thermoelectric materials, bismuth films, bismuth antimonide

Анотація

Сплави вісмут-сурма є одними з найбільш вивчених топологічних ізоляторів, а також мають дуже перспективні термоелектричні властивості. В аморфному стані вони виявляють надпровідність з критичною температурою в діапазоні 6,0–6,4 К. В роботі виготовлено і досліджено різні полікристалічні плівки Bi100–xSbx (x = 0, 5, 10, 15) та, використовуючи опромінення іонним пучком, спричинено значні пошкодження їх внутрішньої структури з метою аморфізації матеріалу. Зокрема, ми опромінювали іонами Bi в діапазоні енергій 10–30 МеВ (прискорювач іонного пучка 5 МВ тандемного типу). Охарактеризовано плівки Bi–Sb до та після опромінення з морфологічного й структурного погляду та виміряно їх питомий електричний опір від кімнатної температури до майже 2 К, щоб оцінити вплив методу виготовлення та ступеню розладу в структурі. Виявлено, що досліджувана система Bi–Sb завжди поводиться як напівпровідник з малою енергетичною щілиною, що відповідає емпіричному правилу Мейєра–Нельделя, яке співвідносить префактор провідності з експоненціальним значенням енергетичної щілини.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2024-03-26

Як цитувати

(1)
Andrino-Gómez, A. .; Moratalla, M. .; Redondo-Cubero, A. .; Gordillo, N. .; Ramos, M. A. . Low-Temperature Electrical Conductivity of Ion-Beam Irradiated Bi–Sb Films. Fiz. Nizk. Temp. 2024, 50, 427–433.

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають