Some aspects of the resistive-to-normal state transition caused by direct and microwave currents in superconducting thin films with phase slip lines
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/10.0025294Ключові слова:
resistive state, phase slip line, low-temperature laser scanning microscopy, localized normal domainsАнотація
На основі аналізу вольт-амперних характеристик та візуалізації резистивного стану тонкоплівкових смужок олова за допомогою низькотемпературної лазерної скануючої мікроскопії (НТЛСМ) досліджено процес руйнування надпровідності струмом та мікрохвильовим опроміненням з утворенням і просторовою перебудовою ліній проковзування фази параметра порядку та їх перетворення в дискретні локалізовані нормальні області. Розглянуто перспективи НТЛСМ з точки зору дослідження високочастотних властивостей надпровідних структур і просторових характеристик у докритичному стані для інструментальних застосувань.
Downloads
Опубліковано
2024-02-28
Як цитувати
(1)
O. G. Turutanov, A. G. Sivakov, A. A. Leha, A. S. Pokhila, A. E. Kolinko, and M. Grajcar, Some aspects of the resistive-to-normal state transition caused by direct and microwave currents in superconducting thin films with phase slip lines, Low Temp. Phys. 50, 289–298, (2024) [Fiz. Nyzk. Temp. 50, 315–324, (2024)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0025294.
Номер
Розділ
Надпровідність, зокрема високотемпературна
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
