Entropy of electron gas in semiconductor nanowires

Автор(и)

  • G. Gulyamov Namangan Engineering Construction Institute, Namangan 160103, Uzbekistan
  • A. B. Davlatov Namangan State University, Namangan 716019, Uzbekistan
  • D. R. Urinboev Namangan Engineering Construction Institute, Namangan 160103, Uzbekistan

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0020600

Ключові слова:

nanowire, nonparabolic, energy levels, thermodynamic potentials, entropy, chemical potential

Анотація

Отримано термодинамічний потенціал та ентропію електронного газу напівпровідникового нанодроту. При обчисленні ентропії електронного газу з непараболічною дисперсією енергії використано метод Нельсона. Досліджено ентропію електронного газу зі значенням найменьшого хімічного потенціалу, який дорівнює або перевищує енергію довільного дискретного енергетичного рівня. Отримано аналітичний вираз для ентропії у випадку, коли хімічний потенціал електронного газу дорівнює енергії дискретного рівня. Знайдено температурні залежності ентропії електронного газу напівпровідникових нанодротів від ступеня непараболічності закону розсіювання енергії.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2023-07-26

Як цитувати

(1)
Gulyamov, G. .; Davlatov, A. B. .; Urinboev, D. R. . Entropy of Electron Gas in Semiconductor Nanowires. Fiz. Nizk. Temp. 2023, 49, 1172–1177.

Номер

Том 49 № 9 (2023)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають