Observation of periodic structures and pseudogaps in pristine compound α-TiNCl by STM/STS and break junction methods

Автор(и)

  • Akira Sugimoto Graduate School of Advanced Science and Engineering, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima 739-8521, Japan
  • Kaito Matsumoto Graduate School of Advanced Science and Engineering, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima 739-8521, Japan
  • Takeshi Saito Graduate School of Advanced Science and Engineering, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima 739-8521, Japan
  • Daiki Yoshida Graduate School of Advanced Science and Engineering, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima 739-8521, Japan
  • Toshikazu Ekino Graduate School of Advanced Science and Engineering, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima 739-8521, Japan
  • Masashi Tanaka Department of Basic Science, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu 804-8550, Japan
  • Alexander M. Gabovich Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv 03028, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0019700

Ключові слова:

layered nitride chloride superconductors, STM/STS, break junction tunnel spectroscopy, stripe order, pseudogap

Анотація

Вимірювання методом скануючої тунельної мікроскопії та спектроскопії (STM/STS) і тунельної спектроскопії з розірваним контактом (BJTS) проведено на чистому напівпровіднику α-TiNCl (pri-TiNCl), який є попередником надпровідних хлоридів нітріда. Топографія STM pri-TiNCl показує основні кристалічні структури з періодами гратки α0 ≈ 0,38 нм та b0 ≈ 0,31 нм, що забезпечує отримання чистої ab поверхні мікромонокристалів. Усереднена залежність провідності від напруги dI/dV(V), яку отримано за допомогою STS вимірювань, показує, що при відносно високих напругах зміщення |V| ~ –50 та –100 мВ спостерігаються зламні структури. Просторові (r-) розподіли провідности dI/dV(V, r) (карти dI/dV), які є пропорційними до розподілів локальних густин станів квазічастинок (LDOS), демонструють незалежні від зсуву смугасті структури з періодом (4,8±0,2) b0, що переважно спостерігаються в діапазоні |V| < 95 мВ. Температурна залежність спектрів dI/dV BJTS показує, що щілинна структура з енергетичною шкалою 4Σ = 180 меВ зникає при Ts ~ 120 К. Таким чином, відношення щілини Σ до температури переходу Ts становить 2Σ/kBTs ~ 10, kB — стала Больцмана. Таке співвідношення є характерним для псевдощілинних властивостей у купратних надпровідниках і діелектричних щілинних особливостей у шаруватих халькогенідах з хвилями зарядової густини.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2023-05-29

Як цитувати

(1)
Sugimoto, A. .; Matsumoto, K. .; Saito, T. .; Yoshida, D. .; Ekino, T. .; Tanaka, M. .; Gabovich, A. M. . Observation of Periodic Structures and Pseudogaps in Pristine Compound α-TiNCl by STM/STS and Break Junction Methods. Fiz. Nizk. Temp. 2023, 49, 954–959.

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають