Radiation-induced phenomena in thermally treated Kr matrices

Анотація

Досліджено вплив термічної обробки на релаксаційні явища в матрицях Kr, опромінених пучком електронів низької енергії. Експерименти проводилися з використанням вимірювань релаксаційних емісій від попередньо опромінених зразків Kr, невідпалених та відпалених до впливу електронного пучка. Три типи емісії спостерігали корельованим у реальному часі чином: термічно стимульована люмінесценція, термічно стимульована екзоелетронна емісія та загальний вихід частинок, який визначався за допомогою вимірювання тиску. Енергетичні рівні дефектів було оцінено за даними термічно стимульованої люмінесценції відпаленого зразка. Виявлено два типи електронно-діркових пасток, створених електронним збудженням — близькі пари та віддалені. Отримано додаткове підтвердження механізму утворення дефектів у «збудженому стані». Аналіз кореляції виходів та впливу термічної обробки дав додаткові аргументи на користь краудіонної моделі аномальної низькотемпературної постдесорбції з попередньо опромінених криптонових матриць.