Magneto-transport properties of Si1–xGex whiskers

Автор(и)

  • Anatoly Druzhinin Department of semiconductor electronics Lviv Polytechnic National University, Lviv 79013, Ukraine
  • Igor Ostrovskii Department of semiconductor electronics Lviv Polytechnic National University, Lviv 79013, Ukraine
  • Yuriy Khoverko Department of semiconductor electronics Lviv Polytechnic National University, Lviv 79013, Ukraine
  • Natalia Liakh-Kaguy Department of semiconductor electronics Lviv Polytechnic National University, Lviv 79013, Ukraine

Ключові слова:

Si1–xGex whiskers, linear magnetoresistance, doping concentration, surface coherence scattering, core-shell structure.

Анотація

Досліджено польові та температурні залежності магнітоопору ниткоподібних кристалів Si1–xGex (x = 0,05) за низьких температур у діапазоні магнітних полів 0–14 Тл із використанням магніту Біттера. Досліджєні кристали діаметром 5–15 мкм вирощені методом хімічного осадження з парової фази з концентрацією легування близькою до переходу метал–діелектрик (Nc ≈ 7.8∙1018 cm–3). У всьому діапазоні магнітних полів у ниткоподібних кристалах Si1–xGex виявлено ефект лінійного магнітоопору за рахунок поверхневого когерентного розсіювання носіїв заряду, зумовленого провідністю у структурі ядро–оболонка.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2022-05-22

Як цитувати

(1)
Druzhinin, A.; Ostrovskii, I.; Khoverko, Y.; Liakh-Kaguy, N. Magneto-Transport Properties of Si1–xGex Whiskers. ФНТ 2022, 48, 587-590.

Номер

Розділ

Низькотемпературний магнетизм

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають