Temperature gradient and transport of heat and charge in a semiconductor structure (Review Article)

Автор(и)

  • Oleg Yu. Titov Instituto Mexicano del Petróleo, Eje Central Lázaro Cárdenas 152, México 07730, CDMX, México
  • Yuri G. Gurevich Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN Av. IPN 2508, México 07360, CDMX, México

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0005182

Ключові слова:

thermal nonequilibrium, recombination, quasineutrality, transport phenomena.

Анотація

Проведено детальний аналіз впливу теплової нерівноваги на транспорт у напівпровідниках. Показано, що транспорт тепла та заряду в біполярних напівпровідниках взаємозалежні та самоузгоджені. У загальному випадку розподіл температури в однорідних напівпровідниках не може бути постійним, або лінійною функцією щодо координати навіть у лінійному наближенні. Встановлено ролі нерівноважних носіїв заряду та рекомбінації в транспорті тепла.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2021-05-21

Як цитувати

(1)
Titov, O. Y.; Gurevich, Y. G. Temperature Gradient and Transport of Heat and Charge in a Semiconductor Structure (Review Article). Fiz. Nizk. Temp. 2021, 47, 596-602.

Номер

Розділ

Статті