Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures

Автор(и)

  • A. P. Savelyev M.N. Miheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of SciencesEkaterinburg 620108, Russia
  • Yu. G. Arapov M.N. Miheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of SciencesEkaterinburg 620108, Russia
  • S. V. Gudina M.N. Miheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of SciencesEkaterinburg 620108, Russia
  • V. N. Neverov M.N. Miheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of SciencesEkaterinburg 620108, Russia
  • S. M. Podgornykh M.N. Miheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of SciencesEkaterinburg 620108, Russia
  • N. G. Shelushinina M.N. Miheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of SciencesEkaterinburg 620108, Russia
  • M. V. Yakunin M.N. Miheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of SciencesEkaterinburg 620108, Russia

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0002892

Ключові слова:

quantum Hall effect, crossover, quantum interference.

Анотація

Експериментально досліджено поздовжній ρxx(B, T) та холлівський ρxy(B, T) опори в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з одиничними та подвійними квантовими ямами в діапазоні магнітних полів B = 0–2.5 Тл та температур T = 1.8–20 К. Показано, що походження температурно-незалежної точки, що знаходиться поблизу ωcτ ≅ 1 на кривих ρxx(B, T), пов’язане зі спільною дією класичного циклотронного руху та квантових інтерференційних ефектів слабкої локалізації й електрон-електронної взаємодії. Отримані результати свідчать, що перехід з діелектричної фази у фазу квантового ефекту Холла є кросовером від слабкої локалізації (квантові інтерференційні ефекти в слабкому магнітному полі) до сильної локалізації при квантуванні магнітних полів у режимі квантового ефекту Холла.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2020-11-18

Як цитувати

(1)
Savelyev, A. P.; Arapov, Y. G.; Gudina, S. V.; Neverov, V. N.; Podgornykh, S. M.; Shelushinina, N. G.; Yakunin, M. V. Localization and Interference Induced Quantum Effects at Low Magnetic Fields in InGaAs/GaAs Structures. Fiz. Nizk. Temp. 2020, 47, 18-23.

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають