Анализ флуктуационной проводимости в Y1–хCdxBa2Cu3O7–δ (x = 0–0,4)

Автор(и)

  • В. М. Алиев Институт физики НАН Азербайджана, Баку, 1143, Азербайджан
  • Р. И. Селим-заде Институт физики НАН Азербайджана, Баку, 1143, Азербайджан
  • Дж. А. Рагимов Азербайджанский медицинский университет, Баку, 1022, Азербайджан
  • Л. В. Омельченко Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины, Харьков, 61103, Украина
  • Е. В. Петренко Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины, Харьков, 61103, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0001712

Ключові слова:

сверхпроводимость, флуктуационная проводимость, псевдощель, длина когерентности, Y1–хCdxBa2Cu3O7–δ.

Анотація

Проведено дослідження впливу часткового заміщення Y на Cd на механізм утворення надлишкової провідності в полікристалах Y1–хCdxBa2Cu3O7–δ з x = 0 (Y1), 0,1 (Y2), 0,3 (Y3) та 0,4 (Y4). Зі зростанням х питомий опір зразків ρ помітно зростав, а критична температура переходу в надпровідний (НП) стан Тс зменшувалася. Механізм утворення флуктуаційної провідності σ′(Т) поблизу Тс розглянуто в рамках теорії Асламазова–Ларкіна. Визначено температуру Гінзбурга (ТG), критичну температуру в наближенні середнього поля (Tcmf), температуру 3D–2D кросовера (Т0) та температуру Т01, яка обмежує зверху область НП флуктуацій. Показано, що допування Cd при збільшенні х від 0 до 0,4 приводить до зростання в 2,7 рази довжини когерентності вздовж осі с ξс(0), а відстань між площинами CuO2, d01, збільшується в 2,2 рази.Відповідно моделі локальних пар з аналізу надлишкової провідності визначено температурні залежності псевдощілини (ПЩ), Δ*(Т). Виявлено, що зі зростанням заміщення максимальне значення ПЩ Δ*(Tpair) зменшується від 250,2 до 215,7 К, при цьому реальне значення ПЩ, яке вимірюється при ТG, Δ*(TG), зростає від 217,4 до 224,2 К.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2020-07-22

Як цитувати

(1)
Алиев, В. М.; Селим-заде, Р. И.; Рагимов, Д. А.; Омельченко, Л. В.; Петренко, Е. В. Анализ флуктуационной проводимости в Y1–хCdxBa2Cu3O7–δ (x = 0–0,4). Fiz. Nizk. Temp. 2020, 46, 1068-1077.

Номер

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна