Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb

Автор(и)

  • А.И. Дмитриев Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
  • С.A. Костюченко МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4963333%20

Ключові слова:

тонкие пленки, разбавленные магнитные полупроводники, кластеры.

Анотація

Измерены временные зависимости магнитного момента m(t) тонких пленок GaMnSb, содержащих кластеры MnSb. Обнаружено, что кривые m(t) спрямляются в полулогарифмических координатах m(lnt). Угловой коэффициент прямых m(lnt) соответствует магнитной вязкости S. Установлено, что полевые зависимости магнитной вязкости S(H) и магнитного момента m(H) при низких температурах определяются логнормальным распределением энергии магнитной анизотропии кластеров MnSb.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2016-07-18

Як цитувати

(1)
Дмитриев, А.; Костюченко, С. Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb. Fiz. Nizk. Temp. 2016, 42, 966-971.

Номер

Том 42 № 9 (2016)

Розділ

Низькотемпературний магнетизм

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають